رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDT86246L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDT86246L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
المخزون:
16733 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839327
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDT86246L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
228mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
335 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
FDT86246
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
FDT86246LTR
FDT86246LCT
FDT86246LDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD86369-F085
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
FDMS7560S
MOSFET N-CH 25V 30A/49A 8PQFN
FDB7030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
