رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDU8880
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDU8880-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12851195
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDU8880 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta), 58A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1260 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
55W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FDU88
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDD8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13967
DiGi رقم الجزء
FDD8880-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDZ191P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
IPB80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
