الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDW2511NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDW2511NZ-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 7.1A 1.6W Surface Mount 8-TSSOP
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839294
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDW2511NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.1A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17.3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.6W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-TSSOP
رقم المنتج الأساسي
FDW25
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FDW2511NZ
ورقة بيانات HTML
FDW2511NZ-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AO8814
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
AO8814-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EFC4621R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP1616
SSD2007ASTF
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
FDMC8200
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8PWR33
FDS6894A
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC