رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDW2520C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDW2520C-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 6A, 4.4A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
المخزون:
12921099
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDW2520C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A, 4.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1325pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
600mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-TSSOP
رقم المنتج الأساسي
FDW25
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDW2520CCT
FDW2520CDKR
FDW2520CTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN3AM832TA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
SQ4937EY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
SI8902AEDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6MICRO FOOT
