FDW254PZ

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDW254PZ

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDW254PZ-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 9.2A 8TSSOP

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 9.2A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12837533

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDW254PZ المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

9.2A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

12mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

96 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

5880 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.4W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-TSSOP

العبوة / العلبة

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

رقم المنتج الأساسي

FDW25

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

HUFA75345G3

MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3

onsemi

FDP5500-F085

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

onsemi

FCP190N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

onsemi

FQP7N65C

MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3