رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDWS9408-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDWS9408-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 214W (Tj) Surface Mount Power56
المخزون:
12837562
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDWS9408-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5150 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Power56
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDWS9
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDWS9408_F085
FDWS9408_F085-DG
2832-FDWS9408-F085TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS5C430NAFT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C430NAFT1G-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQA22P10
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
FDMS7556S
MOSFET N-CH 25V 35A/49A 8PQFN
HUFA76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
