رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FJN3303RTA
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FJN3303RTA-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
12848037
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FJN3303RTA المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
56 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300 mW
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
FJN330
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
FJN3303RTA-DG
FJN3303RTACT
FJN3303RTATB
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MMUN2212LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
7095
DiGi رقم الجزء
MMUN2212LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DRC9114E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
DRC5123E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
DRC2144E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3