رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FJP2160DTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FJP2160DTU-DG
وصف:
TRANS NPN 800V 2A TO220-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 2 A 5MHz 100 W Through Hole TO-220-3
المخزون:
12848540
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FJP2160DTU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
ESBC™
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
800 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
750mV @ 330mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 400mA, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
100 W
التردد - الانتقال
5MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 125°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FJP216
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2832-FJP2160DTU
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
KSC5603DTU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4300
DiGi رقم الجزء
KSC5603DTU-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BD1386S
TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3
MJ11016G
TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
DSA7504Q0L
TRANS PNP 20V 4A MINIP3
