رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FJP5027RTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FJP5027RTU-DG
وصف:
TRANS NPN 800V 3A TO220-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 50 W Through Hole TO-220-3
المخزون:
12849663
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FJP5027RTU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
800 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2V @ 300mA, 1.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
15 @ 200mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
50 W
التردد - الانتقال
15MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FJP5027
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FJP5027RTU-OS
ONSONSFJP5027RTU
2832-FJP5027RTU
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
