رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FJP5200RTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FJP5200RTU-DG
وصف:
TRANS NPN 250V 17A TO220-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 80 W Through Hole TO-220-3
المخزون:
12847473
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FJP5200RTU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
17 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
250 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
3V @ 800mA, 8A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
5µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
55 @ 1A, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
80 W
التردد - الانتقال
30MHz
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FJP520
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SC5200N(S1,E,S)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
2SC5200N(S1,E,S)-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUL44
TRANS NPN 400V 2A TO220
DSC750500L
TRANS NPN 20V 3A MINIP3
MJF127
TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP
