رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FJV3111RMTF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FJV3111RMTF-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12835453
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FJV3111RMTF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
40 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
FJV311
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN1412TE85LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1850
DiGi رقم الجزء
RN1412TE85LF-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTC124TKAT146
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2253
DiGi رقم الجزء
DTC124TKAT146-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMUN2214LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
90855
DiGi رقم الجزء
MMUN2214LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMUN2216LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
559
DiGi رقم الجزء
MMUN2216LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTC123JE-TP
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
BCR 192L3 E6327
TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3
FJV3112RMTF
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3