FQA10N80

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQA10N80

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQA10N80-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P

وصف تفصيلي:

N-Channel 800 V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12846646

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FQA10N80 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

QFET®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

800 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

9.8A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

1.05Ohm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

71 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±30V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2700 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

240W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

TO-3P

العبوة / العلبة

TO-3P-3, SC-65-3

رقم المنتج الأساسي

FQA1

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

30

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

HUFA76407P3

MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3

onsemi

NVTFWS003N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN

onsemi

EC4401C-TL

MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4

onsemi

FQA16N50

MOSFET N-CH 500V 16A TO3P