رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQA28N15
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQA28N15-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12846473
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQA28N15 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
227W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA28
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
Q2458553
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTQ50N20P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTQ50N20P-DG
سعر الوحدة
2.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTHL099N60S5
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
302
DiGi رقم الجزء
NTHL099N60S5-DG
سعر الوحدة
2.95
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD4184A
MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
AO6403
MOSFET P-CH 30V 6A 6TSOP
AOD1R4A70
MOSFET N-CH 700V 3.8A TO252
