رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQA32N20C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQA32N20C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 32A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12850495
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQA32N20C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
82mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2220 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
204W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA32
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTHL095N65S3H
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
399
DiGi رقم الجزء
NTHL095N65S3H-DG
سعر الوحدة
3.67
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMB506P
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
AOI5N40
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
FDPF44N25TRDTU
MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
