FQA44N10
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQA44N10

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQA44N10-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 48A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P

المخزون:

12836554
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQA44N10 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
48A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA4

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
2SK1317-E
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
5608
DiGi رقم الجزء
2SK1317-E-DG
سعر الوحدة
3.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTQ75N10P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
3
DiGi رقم الجزء
IXTQ75N10P-DG
سعر الوحدة
2.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDP3682
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
7136
DiGi رقم الجزء
FDP3682-DG
سعر الوحدة
0.75
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQD7N30TM

MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

onsemi

HUF75321P3

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3

onsemi

HUF75842S3ST

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

onsemi

FDMS037N08B

MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN