FQA8N100C
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQA8N100C

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQA8N100C-DG

وصف:

MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN

المخزون:

230 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849016
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQA8N100C المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3220 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
225W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA8

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
FQA8N100C-DG
FQA8N100CFS
2156-FQA8N100C-OS
ONSONSFQA8N100C

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
alpha-and-omega-semiconductor

AOW25S65

MOSFET N-CH 650V 25A TO262

onsemi

CPH3362-TL-W

MOSFET P-CH 100V 700MA 3CPH

onsemi

NCV8440STT3G

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

alpha-and-omega-semiconductor

AON7436

MOSFET N-CH 20V 9A/23A 8DFN