رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQA9N50
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQA9N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 9.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-3P
المخزون:
12849998
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQA9N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
730mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA9
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
450
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW14NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
66
DiGi رقم الجزء
STW14NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.95
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB45N06S3-16
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
AOD450
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252
BSZ120P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
