FQAF10N80

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQAF10N80

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQAF10N80-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF

وصف تفصيلي:

N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12838310

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FQAF10N80 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

QFET®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

800 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

6.7A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

1.05Ohm @ 3.35A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

71 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±30V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2700 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

113W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

TO-3PF

العبوة / العلبة

TO-3P-3 Full Pack

رقم المنتج الأساسي

FQAF1

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

360

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQB34P10TM-F085

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

onsemi

FDMS86183

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

onsemi

FDMS86369-F085

MOSFET N-CH 80V 65A POWER56

EFC6604R-A-TR

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP