FQAF11N90C
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQAF11N90C

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQAF11N90C-DG

وصف:

MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF

المخزون:

12837294
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQAF11N90C المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3290 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
120W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQAF11

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
FQAF11N90CFS
FQAF11N90C-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STW11NK90Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
550
DiGi رقم الجزء
STW11NK90Z-DG
سعر الوحدة
3.17
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

AUIRF2907ZS7PTL

MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK

onsemi

FDS4072N3

MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO

onsemi

CPH6337-TL-W

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6CPH

infineon-technologies

BSC106N025S G

MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON