FQAF12N60
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQAF12N60

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQAF12N60-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7.8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12849595
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQAF12N60 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
700mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQAF1

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
FQAF12N60
ورقة بيانات HTML
FQAF12N60-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

BUZ11-NR4941

MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3

onsemi

FDPF2710T

MOSFET N-CH 250V 25A TO220F

onsemi

FDD10AN06A0

MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA

onsemi

FQAF19N60

MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF