FQAF22P10
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQAF22P10

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQAF22P10-DG

وصف:

MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 16.6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF

المخزون:

12847241
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQAF22P10 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQAF2

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FCPF11N60

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOB2502L

MOSFET N-CH 150V 106A TO263

onsemi

NVMFS5C450NLT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

FCPF850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A TO220F