رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB19N10LTM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB19N10LTM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12836854
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB19N10LTM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
870 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB1
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRL530NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
21055
DiGi رقم الجزء
IRL530NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA76633S3S
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
2V7002LT3G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSP295H6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4