رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB25N33TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB25N33TM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 330 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12838129
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB25N33TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
330 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
75 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2010 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB2
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FQB25N33TMCT
FQB25N33TMTR
FQB25N33TMDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7309
DiGi رقم الجزء
IRF540NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF644STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF644STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRLS4030TRL
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
FDPF17N60NT
MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
FDP050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
