رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB44N10TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB44N10TM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 43.5A (Tc) 3.75W (Ta), 146W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
800 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846275
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB44N10TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
43.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 21.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.75W (Ta), 146W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB44N10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FQB44N10TMCT
FQB44N10TMDKR
2156-FQB44N10TM-OS
ONSONSFQB44N10TM
FQB44N10TMTR
FQB44N10TM-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOB470L
MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
HUF76633P3
MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
AON6520
MOSFET N-CH 30V 11A/50A 8DFN
