رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB4P25TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB4P25TM-DG
وصف:
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 250 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12836098
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB4P25TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.1Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB4
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF5210STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7933
DiGi رقم الجزء
IRF5210STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFS3006-7P
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
FQD7P06TM
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FDN340P
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
