الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB6N80TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB6N80TM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12835885
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB6N80TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB6N80
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FQB6N80
مخططات البيانات
FQB6N80TM
ورقة بيانات HTML
FQB6N80TM-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FQB6N80TM-DG
FQB6N80TMTR
FQB6N80TMDKR
FQB6N80TMCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB7NK80ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4410
DiGi رقم الجزء
STB7NK80ZT4-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB9NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB9NK80Z-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB6NK90ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB6NK90ZT4-DG
سعر الوحدة
1.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQB4N80TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
720
DiGi رقم الجزء
FQB4N80TM-DG
سعر الوحدة
0.90
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK4198LS
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
2V7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
2SK3747
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PML