رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB8P10TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB8P10TM-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12836626
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB8P10TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
530mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
470 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB8P10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FQB8P10TMTR
FQB8P10TMDKR
FQB8P10TM-DG
2156-FQB8P10TM-OS
FQB8P10TMCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF5210STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7933
DiGi رقم الجزء
IRF5210STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB19DP10NMATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1986
DiGi رقم الجزء
IPB19DP10NMATMA1-DG
سعر الوحدة
0.85
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS039N08B
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
FDFS6N548
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
FDMC8554
MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
