رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQB9P25TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQB9P25TM-DG
وصف:
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12838031
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQB9P25TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1180 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FQB9
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9640STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5539
DiGi رقم الجزء
IRF9640STRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF5210STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7933
DiGi رقم الجزء
IRF5210STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
FQA62N25C
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK