رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD10N20CTM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD10N20CTM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12847548
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD10N20CTM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
510 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD10N20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-FQD10N20CTM-OS
FQD10N20CTM-DG
FQD10N20CTMCT
2832-FQD10N20CTM
ONSONSFQD10N20CTM
FQD10N20CTMTR
FQD10N20CTMDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD120AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
NTMFS4744NT1G
MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
IRFNL210BTA-FP001
MOSFET N-CH 200V 1A TO92L
