الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD12P10TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD12P10TM-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12847458
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD12P10TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD1
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FQD12P10TM
ورقة بيانات HTML
FQD12P10TM-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMP10H400SK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
83919
DiGi رقم الجزء
DMP10H400SK3-13-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPD15P10PGBTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4670
DiGi رقم الجزء
SPD15P10PGBTMA1-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR5410TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
18890
DiGi رقم الجزء
IRFR5410TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLR9343TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRLR9343TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AUIRFR5410TRL
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2660
DiGi رقم الجزء
AUIRFR5410TRL-DG
سعر الوحدة
1.24
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCH165N65S3R0-F155
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
FQPF7N10L
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
FDFS2P753AZ
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
NTMS4503NR2G
MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC