رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD17N08LTF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD17N08LTF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12848353
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD17N08LTF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 6.45A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD1
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR3910TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
27514
DiGi رقم الجزء
IRFR3910TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOD2922
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
28569
DiGi رقم الجزء
AOD2922-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOD478
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOD478-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EFC4619R-A-TR
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
AOI4184
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO251A
FDH038AN08A1
MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
