رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD2N90TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD2N90TF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12837523
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD2N90TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD2
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
FQD2N90TF-DG
FQD2N90TFDKR
FQD2N90TFCT
FQD2N90TFTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD3NK90ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1906
DiGi رقم الجزء
STD3NK90ZT4-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQD2N90TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11464
DiGi رقم الجزء
FQD2N90TM-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STD2NK90ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1784
DiGi رقم الجزء
STD2NK90ZT4-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD86569-F085
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
HUF76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
FQPF22P10
MOSFET P-CH 100V 13.2A TO220F
