FQD4N20LTF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQD4N20LTF

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQD4N20LTF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 3.2A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

12850127
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQD4N20LTF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.35Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
310 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD4

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STD5N20LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
20061
DiGi رقم الجزء
STD5N20LT4-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
alpha-and-omega-semiconductor

AON6734

MOSFET N-CH 30V 37A/85A 8DFN

onsemi

IRFW630BTM-FP001

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON6370P

MOSFET N-CH 30V 23A DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOW20S60

MOSFET N-CH 600V 20A TO262