FQD4P25TM

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQD4P25TM

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQD4P25TM-DG

وصف:

MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

وصف تفصيلي:

P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12846264

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FQD4P25TM المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

QFET®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

250 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

3.1A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2.1Ohm @ 1.55A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±30V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

420 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

TO-252AA

العبوة / العلبة

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

رقم المنتج الأساسي

FQD4

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

HUFA75852G3

MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOWF15S65

MOSFET N-CH 650V 15A TO262F

alpha-and-omega-semiconductor

AOK29S50L

MOSFET N-CH 500V 29A TO247

alpha-and-omega-semiconductor

AON6450L

MOSFET N-CH 100V 8DFN