FQD4P40TF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQD4P40TF

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQD4P40TF-DG

وصف:

MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 400 V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

12838294
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQD4P40TF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD4

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDR6580

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

onsemi

FDS6675A

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

FDA032N08

MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN

onsemi

FQB11P06TM

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK