رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD6N25TM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD6N25TM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12836669
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD6N25TM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD6N25
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FQD6N25TMFSCT
FQD6N25TMFSTR
FQD6N25TMFSDKR
FQD6N25TM-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR224TRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2100
DiGi رقم الجزء
IRFR224TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR224TRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFR224TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCD4N60TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
10613
DiGi رقم الجزء
FCD4N60TM-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
