رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD7N20TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD7N20TF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 5.3A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12836166
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD7N20TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
690mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD7
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR220TRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
15775
DiGi رقم الجزء
IRFR220TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXMN20B28KTC
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3100
DiGi رقم الجزء
ZXMN20B28KTC-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDT457N
MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
FQA40N25
MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
2SK4065-E
MOSFET N-CH 75V 100A SMP
