FQD7P06TF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQD7P06TF

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQD7P06TF-DG

وصف:

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 5.4A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

12839716
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQD7P06TF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
451mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
295 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD7

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

HUFA76419D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

onsemi

FDD6N50TM

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

onsemi

NTB5605PG

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

onsemi

FDC8601

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6