رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQI13N50CTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQI13N50CTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
المخزون:
12849505
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQI13N50CTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2055 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
195W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
FQI13N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFSL11N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFSL11N50APBF-DG
سعر الوحدة
1.49
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOB2606L
MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
AOT2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220
FQP47P06_NW82049
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
