رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQI1P50TU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQI1P50TU-DG
وصف:
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
المخزون:
12849659
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQI1P50TU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
FQI1
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9Z14LPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF9Z14LPBF-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MTP50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
AOB4184
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263
FQAF44N08
MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF
