FQI47P06TU

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQI47P06TU

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQI47P06TU-DG

وصف:

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK

وصف تفصيلي:

P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12848516

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FQI47P06TU المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

QFET®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

47A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

26mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±25V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

3600 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.75W (Ta), 160W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

TO-262 (I2PAK)

العبوة / العلبة

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

رقم المنتج الأساسي

FQI4

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

1,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

NTHS4501NT1

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

onsemi

FDB8132_F085

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

onsemi

FDP39N20

MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3

onsemi

FQE10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3