FQI4P40TU
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQI4P40TU

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQI4P40TU-DG

وصف:

MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 400 V 3.5A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

المخزون:

12849852
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQI4P40TU المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
FQI4

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQPF5N50CTTU

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4T60P

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

alpha-and-omega-semiconductor

AON6234

MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN

onsemi

IRFP460_R4943

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3