FQI5N50CTU
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQI5N50CTU

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQI5N50CTU-DG

وصف:

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 73W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

المخزون:

12848581
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQI5N50CTU المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
625 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
73W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262 (I2PAK)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
FQI5

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRF830ALPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF830ALPBF-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDD7N20TM

MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK

onsemi

FQAF34N25

MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF

onsemi

FQPF2P40

MOSFET P-CH 400V 1.34A TO220F

onsemi

FQP11P06

MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3