رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQN1N60CTA
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQN1N60CTA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
المخزون:
17584 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846864
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
N7To
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQN1N60CTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Box (TB)
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
300mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
170 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta), 3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
FQN1N60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
FQN1N60CTA-DG
FQN1N60CTATB
FQN1N60CTACT
FQN1N60CTADKR-DG
FQN1N60CTADKR
FQN1N60CTADKRINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQN1N50CTA
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3302
DiGi رقم الجزء
FQN1N50CTA-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STQ1NK60ZR-AP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
7349
DiGi رقم الجزء
STQ1NK60ZR-AP-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
