الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP13N50C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP13N50C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12836493
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP13N50C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2055 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
195W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP13
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FQP13N50C, FQPF13N50C
مخططات البيانات
FQP13N50C
ورقة بيانات HTML
FQP13N50C-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FQP13N50C-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP15N50L2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP15N50L2-DG
سعر الوحدة
5.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP12N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
300
DiGi رقم الجزء
IXFP12N50P-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
FDP18N50
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDP18N50-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP11NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
826
DiGi رقم الجزء
STP11NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP12N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
73
DiGi رقم الجزء
IXTP12N50P-DG
سعر الوحدة
1.64
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK4089LS
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI
FQB9N08LTM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
FDP047N10
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
ATP208-TL-H
MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK