FQP17P10
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQP17P10

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQP17P10-DG

وصف:

MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 16.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

12849070
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQP17P10 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP17

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
ONSONSFQP17P10
2156-FQP17P10-OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRF9530NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
39687
DiGi رقم الجزء
IRF9530NPBF-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FCMT099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A POWER88

alpha-and-omega-semiconductor

AO3409L

MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3

onsemi

FQP65N06

MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3

onsemi

HUFA75645P3

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3