رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP22N30
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP22N30-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12839565
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP22N30 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP22
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FQP22N30-OS
FAIFSCFQP22N30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTP165N65S3H
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
523
DiGi رقم الجزء
NTP165N65S3H-DG
سعر الوحدة
1.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMS0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
FDD5N50UTF_WS
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
BSP324 E6327
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
