FQP22N30
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQP22N30

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQP22N30-DG

وصف:

MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

12839565
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQP22N30 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP22

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FQP22N30-OS
FAIFSCFQP22N30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
NTP165N65S3H
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
523
DiGi رقم الجزء
NTP165N65S3H-DG
سعر الوحدة
1.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDMS0310AS

MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN

onsemi

FDD5N50UTF_WS

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

infineon-technologies

BSP324 E6327

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4

onsemi

FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88