FQP630TSTU
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQP630TSTU

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQP630TSTU-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

12846360
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQP630TSTU المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP6

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRF630
المُصنِّع
Harris Corporation
الكمية المتاحة
11535
DiGi رقم الجزء
IRF630-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
alpha-and-omega-semiconductor

AOTF2N60

MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F

alpha-and-omega-semiconductor

AO3407

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6534

MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN

onsemi

FQP16N25

MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3