الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP85N06
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP85N06-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 85A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12920524
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP85N06 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
85A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 42.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4120 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FQP85
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FQP85N06
مخططات البيانات
FQP85N06
ورقة بيانات HTML
FQP85N06-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOT2610L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOT2610L-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7843
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP76NF75
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STP76NF75-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF1010EZPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
9758
DiGi رقم الجزء
IRF1010EZPBF-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFZ44VZPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
333
DiGi رقم الجزء
IRFZ44VZPBF-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHB24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
SQP50N06-09L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
SIHH20N50E-T1-GE3
MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8