FQPF13N10
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQPF13N10

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQPF13N10-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

12850383
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQPF13N10 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 4.35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF1

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RCX120N25
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RCX120N25-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPP80N06S4L05AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

onsemi

FQPF20N06

MOSFET N-CH 60V 15A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AO4411L

MOSFET P-CH 30V 8A 8SO

onsemi

FQPF17P06

MOSFET P-CH 60V 12A TO220F